屏蔽按機理可分為電場屏蔽、磁場屏蔽和電磁場屏蔽。

　　1電場屏蔽

　　【屏蔽機理】：將電場感應看成分布電容間的耦合。

　　【設計要點】：

　　a、屏蔽板以靠近受保護物為好，而且屏蔽板的接地必須良好！！！

　　b、屏蔽板的形狀對屏蔽效能的高低有明顯影響。全封閉的金屬盒，但工程中很難做到！

　　c、屏蔽板的材料以良導體為好，但對厚度無要求，只要有足夠的強度就可了。

　　屏蔽機柜

　　2磁場屏蔽

　　磁場屏蔽通常是指對直流或低頻磁場的屏蔽，其效果比電場屏蔽和電磁場屏蔽要差的多。

　　【屏蔽機理】：主要是依靠高導磁材料所具有的低磁阻，對磁通起著分路的作用，使得屏蔽體內部的磁場大為減弱。

　　【電磁場屏蔽的機理】：

　　a、當電磁波到達屏蔽體表面時，由于空氣與金屬的交界面上阻抗的不連續，對入射波產生的反射。這種反射不要求屏蔽材料必須有一定的厚度，只要求交界面上的不連續；

　　b、未被表面反射掉而進入屏蔽體的能量，在體內向前傳播的過程中，被屏蔽材料所衰減。也就是所謂的吸收；

　　c、在屏蔽體內尚未衰減掉的剩余能量，傳到材料的另一表面時，遇到金屬－空氣阻抗不連續的交界面，會形成再次反射，并重新返回屏蔽體內。這種反射在兩個金屬的交界面上可能有多次的反射。

　　總之，電磁屏蔽體對電磁的衰減主要是基于電磁波的反射和電磁波的吸收。

　　【吸收損耗】不同的材料、不同的材料厚度對于電磁波的吸收效果不一樣.可根據材料吸收損耗的列線圖得出。

　　【反射損耗】分為三類：低阻抗磁場、高阻抗電場、平面波場。

　　其中低阻抗磁場和高阻抗電場的反射損耗列線圖計算方法相同，與金屬材料、頻率及輻射源到屏蔽體的距離有關。

　　對于平面波，波阻抗為一常數，而與輻射源到屏蔽體的距離無關，在列線圖中只需連接金屬材料和感興趣的頻率就可求出此時的反射損耗值。【設計要點】：

　　a、選用高導磁材料，如坡莫合金；

　　b、增加屏蔽體的厚度；

　　以上均是為了減小屏蔽體的磁阻；

　　c、被屏蔽的物體不要安排在緊靠屏蔽體的位置上，以盡量減小通過被屏蔽物

　　體體內的磁通；

　　d、注意屏蔽體的結構設計，凡接縫、通風空等均可能增加屏蔽體的磁阻，從

　　而降低屏蔽效果。

　　e、對于強磁場的屏蔽可采用雙層磁屏蔽體的結構。

　　對要屏蔽外部強磁場的，則屏蔽體的外層選用不易飽和的材料，如硅鋼；而內

　　部可選用容易達到飽和的高導磁材料，如坡莫合金等。

　　反之，如果要屏蔽內部強磁場時，則材料的排列次序要到過來。

　　在安裝內外兩層屏蔽體時，要注意彼此間的絕緣。當沒有接地要求時，可用絕

　　緣材料做支撐件。若需接地時，可選用非鐵磁材料（如銅、鋁）做支撐件。

　　3電磁場屏蔽

　　電磁場屏蔽是利用屏蔽體阻止電磁場在空間傳播的一種措施。